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NPN SILICON TRANSISTOR  
9014  
TO 92  
FEATURES  
1.EMITTER  
2.BASE  
Power dissipation  
PCM : 0.4  
W
A
Tamb=25  
Collector current  
ICM : 0.1  
3.COLLECTOR  
1 2 3  
Collector-base voltage  
V(BR)CBO : 50  
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25  
unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
MIN  
50  
45  
5
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
V(BR)CBO  
Ic= 100  
A
IE=0  
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO  
Ic= 0. 1 mA IB=0  
V
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
IE= 100  
A
IC=0  
IE=0  
IB=0  
IC=0  
VCB=50 V ,  
VCE=35 V ,  
0.1  
0.1  
0.1  
1000  
0.3  
1
A
Collector cut-off current  
ICEO  
A
Emitter cut-off current  
IEBO  
VEB=  
VCE=  
3
5
V
A
DC current gain(note)  
HFE  
V, IC= 1mA  
60  
1
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
IC= 100mA, IB= 5 mA  
IC= 100 mA, IB= 5mA  
V
V
VCE= 5 V, IC= 10mA  
f =30MHz  
Transition frequency  
150  
MHz  
fT  
CLASSIFICATION OF HFE(1)  
Rank  
A
B
C
D
Range  
60-150  
100-300  
200-600  
400-1000  
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.  
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153  
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