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Image BSS123
型号: BSS123
厂商: Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
标准:
分类: 半导体分离式半导体
描述: mosfet sot-23 N-CH logic
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BSS123的详细信息

Manufacturer: Fairchild Semiconductor
Product Category: MOSFET
RoHS: Yes
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V
Id - Continuous Drain Current: 170 mA
Rds On - Drain-Source Resistance: 6 Ohms
Configuration: Single
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Packaging: Reel
Brand: Fairchild Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Fall Time: 9 ns
Forward Transconductance - Min: 0.8 S
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rise Time: 9 ns
Series: BSS123
Factory Pack Quantity: 3000
Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns
Part # Aliases: BSS123_NL
Unit Weight: 60 mg
June 2003  
BSS123  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Features  
General Description  
These N-Channel enhancement mode field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
high cell density, DMOS technology. These products  
have been designed to minimize on-state resistance  
while provide rugged, reliable, and fast switching  
performance.These products are particularly suited for  
low voltage, low current applications such as small  
servo motor control, power MOSFET gate drivers, and  
other switching applications.  
·
0.17 A, 100 V. RDS(ON) = 6W @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 10W @ VGS = 4.5 V  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
Rugged and Reliable  
·
·
·
Compact industry standard SOT-23 surface mount  
package  
D
D
S
S
G
G
SOT-23  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
100  
Units  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
±20  
ID  
(Note 1)  
(Note 1)  
0.17  
0.68  
Maximum Power Dissipation  
Derate Above 25°C  
0.36  
PD  
W
mW/°C  
2.8  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 to +150  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16” from Case for 10 Seconds  
300  
350  
Thermal Characteristics  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1)  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
SA  
BSS123  
7’’  
8mm  
3000 units  
BSS123 Rev G(W)  
ó2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
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