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Image IRF3205
型号: IRF3205
厂商: International Rectifier International Rectifier
标准:
分类: 半导体
描述: power mosfet(vdss=55v, rds(on)=8.0mohm, Id=110a)
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PD-91279E  
IRF3205  
HEXFET? Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 55V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 8.0m?  
G
l Fully Avalanche Rated  
?
ID = 110A  
S
Description  
AdvancedHEXFET? PowerMOSFETsfromInternational  
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 watts. The low thermal  
resistance and low package cost of the TO-220 contribute  
to its wide acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
110 ?  
80  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ?  
A
390  
200  
1.3  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
62  
Avalanche Current?  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy?  
Peak Diode Recovery dv/dt ?  
Operating Junction and  
20  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf?in (1.1N?m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.75  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
01/25/01  
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