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Image IRF3205PBF
型号: IRF3205PBF
厂商: International Rectifier International Rectifier
标准:
分类: 半导体分离式半导体
描述: mosfet mosft 55v 98a 8mohm 97.3nc
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IRF3205PBF的详细信息

Manufacturer: International Rectifier
Product Category: MOSFET
RoHS: Yes
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V
Id - Continuous Drain Current: 98 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 8 mOhms
Qg - Gate Charge: 97.3 nC
Pd - Power Dissipation: 150 W
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Brand: International Rectifier
Factory Pack Quantity: 50
PD-94791B  
IRF3205PbF  
HEXFET? Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 8.0m?  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
ID = 110A?  
S
Description  
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International  
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET power MOSFETs are well known  
for, provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevels  
to approximately 50 watts. The low thermal resistance and  
low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
110 ?  
80  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ?  
A
390  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.3  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Avalanche Current?  
62  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy?  
Peak Diode Recovery dv/dt ?  
Operating Junction and  
20  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf?in (1.1N?m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.75  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
07/23/10  

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