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Image IRF540NPBF
型号: IRF540NPBF
厂商: International Rectifier International Rectifier
标准:
分类: 半导体分离式半导体
描述: mosfet mosft 100v 33a 44mohm 47.3nc
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IRF540NPBF的详细信息

Manufacturer: International Rectifier
Product Category: MOSFET
RoHS: Yes
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V
Id - Continuous Drain Current: 33 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 44 mOhms
Qg - Gate Charge: 47.3 nC
Pd - Power Dissipation: 140 W
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Brand: International Rectifier
Factory Pack Quantity: 50
PD - 94812  
IRF540NPbF  
HEXFET? Power MOSFET  
? Advanced Process Technology  
? Ultra Low On-Resistance  
? Dynamic dv/dt Rating  
? 175°C Operating Temperature  
? Fast Switching  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 44m?  
G
? Fully Avalanche Rated  
? Lead-Free  
ID = 33A  
S
Description  
AdvancedHEXFET? PowerMOSFETsfromInternational  
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremelylowon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 watts. The low thermal  
resistance and low package cost of the TO-220 contribute  
to its wide acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ?  
33  
23  
A
110  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
130  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.87  
± 20  
16  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Avalanche Current?  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy?  
Peak Diode Recovery dv/dt ?  
Operating Junction and  
13  
mJ  
V/ns  
7.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf?in (1.1N?m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
0.50  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.15  
–––  
62  
°C/W  
www.irf.com  
1
11/3/03  
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