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Image IRFP460
型号: IRFP460
厂商: Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类: 半导体分离式半导体
描述: mosfet N-chan 500v 20 amp
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IRFP460的详细信息

Manufacturer: Vishay
Product Category: MOSFET
RoHS: No
Brand: Vishay / Siliconix
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V
Id - Continuous Drain Current: 20 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 270 mOhms
Configuration: Single
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 280 W
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Channel Mode: Enhancement
Fall Time: 58 ns
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rise Time: 59 ns
Factory Pack Quantity: 25
Typical Turn-Off Delay Time: 110 ns
IRFP460, SiHFP460  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
? Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
500  
Available  
? Repetitive Avalanche Rated  
? Isolated Central Mounting Hole  
? Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.27  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
210  
29  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
110  
? Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
? Simple Drive Requirements  
? Lead (Pb)-free Available  
D
TO-247  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.  
It also provides greater creepage distances between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
G
S
D
S
G
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP460PbF  
SiHFP460-E3  
IRFP460  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP460  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
500  
V
VGS  
± 20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
20  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
13  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
80  
Linear Derating Factor  
2.2  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
960  
20  
EAR  
28  
280  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
3.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 4.3 mH, RG = 25 Ω, IAS = 20 A (see fig. 12).  
c. ISD 20 A, dI/dt 160 A/μs, VDD VDS, TJ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91237  
S-81360-Rev. A, 28-Jul-08  
www.vishay.com  
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